onsemi IGBT-Modul 156 W Q1BOOST Oberfläche

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
245-6984P
Herst. Teile-Nr.:
NXH40B120MNQ1SNG
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT-Modul

Anzahl an Transistoren

3

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gehäusegröße

Q1BOOST

Montageart

Oberfläche

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

55.2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

NXH40B120MNQ1SNG

Höhe

13.9mm

Automobilstandard

Nein

Voll-SiC-MOSFET-Modul | EliteSiC Dreikanal-Voll-SiC-Boost, 1200 V, 40 mohm SiC-MOSFET + 1200 V, 40 A SiC-Diode, vernickeltes DBC


Das on Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG ist ein Leistungsmodul mit einer dreikanaligen Boost-Stufe. Die integrierten SiC-MOSFETs und SiC-Dioden bieten geringere Leitungsverluste und Schaltverluste, sodass Entwickler einen hohen Wirkungsgrad und eine überlegene Zuverlässigkeit erreichen können.

40 m/1200 V SiC MOSFET Halbbrücke

Thermistor

Optionen mit vorinstalltem thermischer Schnittstellenmaterial und ohne vorangewandte TIM

Pressstifte

Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei und RoHS-konform

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.