Infineon IGBT-Modul, 650 V 20 mW Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 248-1199
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Schale mit 15 Stück)*
CHF.546.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | CHF.36.40 | CHF.545.95 |
| 30 + | CHF.34.582 | CHF.518.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 248-1199
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 4 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | F3L100R07W2H3B11 | |
| Höhe | 12mm | |
| Länge | 56.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 4 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie F3L100R07W2H3B11 | ||
Höhe 12mm | ||
Länge 56.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon stellt dieses EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-Level IGBT Modul mit Trench/Fieldstop IGBT H3 und schneller Diode und PressFIT / NTC her. Dieses Gerät bietet einfaches, kompaktes Design und optimierte Leistung. Das Gerät bietet zusätzliche Vorteile wie erhöhte Sperrspannungsfähigkeit bis zu 650 V, niedrige Induktivität, geringe Schaltverluste und niedrige VCE,sat. Es verwendet ein Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand und PressFIT-Kontakttechnologie. Dieses Gerät bietet eine robuste Montage durch eine integrierte Montageklammer.
Bestes Preis-Leistungs-Verhältnis mit reduzierten Systemkosten
Hoher Freiheitsgrad beim Design und Einsatz der IGBT HighSpeed 3-Technologie
Höchste Effizienz und Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Modul, 650 V 20 mW Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Modul Dreifach parallel, 650 V 20 mW AG-EASY3B
- Infineon IGBT-Modul / 70 A Einfach, 650 V 20 mW AG-EASY3B
- Infineon IGBT / 650 A, 1700 V 20 mW AG-ECONOD Typ P-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Modul / 45 A, 1700 V 20 mW, 35-Pin EasyPACK Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Modul / 100 A, 950 V 20 mW EasyPACK
- Infineon IGBT-Modul / 2400 A, 1200 V 20 mW Schraubanschlussklemme
- Infineon IGBT-Modul / 225 A, 1700 V 20 mW EconoDUALTM3