Infineon IGBT / 120 A, 750 V 682 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 248-6655
Herst. Teile-Nr.:: AIKQ120N75CP2XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 120 A, 750 V 682 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:: 248-6655
Herst. Teile-Nr.:: AIKQ120N75CP2XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	120A
	Produkt Typ	IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	750V
	Maximale Verlustleistung Pd	682W
	Gehäusegröße	TO-247
	Pinanzahl	3
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT	1.3V
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	15 V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Serie	EDT2
	Breite	15.9 mm
	Länge	41.2mm
	Höhe	5.1mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 120A
	Produkt Typ IGBT
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 750V
	Maximale Verlustleistung Pd 682W
	Gehäusegröße TO-247
	Pinanzahl 3
	Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.3V
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15 V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Serie EDT2
	Breite 15.9 mm
	Länge 41.2mm
	Höhe 5.1mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - AIKQ120N75CP2XKSA1

Infineons Automotive IGBT Discrete ist ein EDT2 IGBT mit einer Co-Packed-Diode im TO247PLUS-Gehäuse. Die EDT2-Technologie verfügt über eine extrem enge Parameterverteilung und einen positiven thermischen Koeffizienten, was einen einfachen Parallelbetrieb ermöglicht und so für Systemflexibilität und Leistungsskalierbarkeit sorgt. Die 750-V-EDT-Technologie verbessert die Energieeffizienz und den Kühlaufwand für Hochspannungsanwendungen im Automobilbereich erheblich, indem sie Batteriespannungen bis zu 470 V und sicheres, schnelles Schalten aufgrund erhöhter Überspannungsspannen ermöglicht und so leistungsstarke Umrichtersysteme ermöglicht.

Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen

Positiver thermischer Koeffizient und sehr enge Parameterverteilung für einfache Parallelschaltung

Ausgezeichnete Stromaufteilung im Parallelbetrieb

Gleichmäßiges Schaltverhalten, geringe EMI-Signatur

Geringe Gate-Ladung

Einfaches Gate-Drive-Design

Hohe Zuverlässigkeit

Infineon IGBT / 120 A, 750 V 682 W, 3-Pin TO-247

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