Teile-Nr.

Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V

RS Best.-Nr.:: 248-6690
Herst. Teile-Nr.:: SKM100GAL12F4
Marke:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V

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Herst. Teile-Nr.:: SKM100GAL12F4
Marke:: Semikron Danfoss

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Semikron Danfoss
	Dauer-Kollektorstrom max.	100 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	1200 V
	Gate-Source Spannung max.	±15.0V
	Anzahl an Transistoren	1

Datasheet - SKM100GAL12F4

Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Sie werden hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizgeräten und Schaltnetzteilen eingesetzt.

Erhöhte Fähigkeit zum Leistungswechsel
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz

Semikron Danfoss IGBT-Transistormodul / 100 A ±15.0V max. , 1200 V

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