Teile-Nr.

Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V

RS Best.-Nr.:: 248-6700P
Herst. Teile-Nr.:: SKM200GB12F4
Marke:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 248-6700P
Herst. Teile-Nr.:: SKM200GB12F4
Marke:: Semikron Danfoss

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Semikron Danfoss
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic	200A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo	1200V
	Anzahl an Transistoren	2
	Konfiguration	Halbbrücke
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO	15.0 V

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	Marke Semikron Danfoss
	Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A
	Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V
	Anzahl an Transistoren 2
	Konfiguration Halbbrücke
	Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15.0 V

Datasheet - SKM200GB12F4

Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.

Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit

Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)

Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz

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Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V

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