Semikron Danfoss / 200 A Halbbrücke, 1200 V
- RS Best.-Nr.:
- 248-6700P
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 248-6700P
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM200GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Halbbrücke | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 15.0 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Halbbrücke | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 15.0 V | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Leistungszyklusfähigkeit
Isolierte Kupfer-Sockelplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz