Semikron Danfoss IGBT-Modul / 113 A, 1.28 V SEMITRANS2
- RS Best.-Nr.:
- 248-6711P
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM75GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 248-6711P
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM75GB12F4
- Marke:
- Semikron Danfoss
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 113A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1.28V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS2 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 9ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.93V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 30mm | |
| Länge | 94mm | |
| Breite | 34mm | |
| Serie | SKM75 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 113A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1.28V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße SEMITRANS2 | ||
Schaltgeschwindigkeit 9ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.93V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 30mm | ||
Länge 94mm | ||
Breite 34mm | ||
Serie SKM75 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die IGBT-Module der Serie SEMITRANS von Semikron haben eine Spannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter. Es wird hauptsächlich in USV, elektronischen Schweißgeräten, induktiven Heizungen und Schaltnetzteilen eingesetzt.
Erhöhte Fähigkeit zum Leistungswechsel
Isolierte Kupfer-Grundplatte mit DBC-Technologie (Direct Bonded Copper)
Für höhere Schaltfrequenzen über 15 kHz
