Infineon IGBT-Modul / 750 A, 1700 V 20 mW EconoDUALTM3
- RS Best.-Nr.:
- 250-0225
- Herst. Teile-Nr.:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 250-0225
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- FF750R17ME7DB11BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 750A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1700V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | EconoDUALTM3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FF | |
| Normen/Zulassungen | 60749 and 60068, IEC 60747 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 750A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1700V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße EconoDUALTM3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FF | ||
Normen/Zulassungen 60749 and 60068, IEC 60747 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das zweifache TRENCHSTOPTM IGBT7-Modul Infineon EconoDUALTM 3 1700 V, 750 A mit erweiterter Emittergesteuerter 7-Diode, NTC und PressFIT-Kontakttechnologie.
Integrierter Temperatursensor
Hohe Stromdichte
Niedrige VCE, Sat
Overload-Betrieb bis 175° C
TRENCHSTOPTM IGBT7
VCE, Sat mit positivem Temperaturkoeffizienten
Vergrößerte Diode für regenerativen Betrieb
Hohe Leistungsdichte
Isolierte Grundplatte
PressFIT Kontakttechnologie
Standardgehäuse
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