Bourns IGBT, 600 V 82 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 253-3500P
- Herst. Teile-Nr.:
- BIDD05N60T
- Marke:
- Bourns
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- BIDD05N60T
- Marke:
- Bourns
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Bourns | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 82W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | BIDD05N60T | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Bourns | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 82W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie BIDD05N60T | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Gerät von Bourns vereint die Technologie eines MOS-Gate und eines bipolaren Transistors zu einem optimalen Bauteil für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen. Dieses Gerät verwendet die Trench-Gate-Field-Stop-Technologie, die eine bessere Kontrolle der dynamischen Eigenschaften mit einer geringeren Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter (VCE(sat)) und geringeren Schaltverlusten ermöglicht. Darüber hinaus verbessert diese Struktur die Robustheit des Geräts.
600 V, 5 A, niedrige VCE(sat)
Trench-Gate-Field-Stop-Technologie
Optimiert für Leitfähigkeit
Robust
RoHS-konform