Infineon IGBT, 1200 V 20 mW

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253-9828P
Herst. Teile-Nr.:
FP150R12N3T7PB11BPSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

20mW

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.85V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

17mm

Länge

122mm

Serie

FP150R12N3T7PB11B

Automobilstandard

Nein

Die Serie FP15 von Infineon ist ein EconoPIM 3-Modul mit IGBT und emittergesteuerter Diode sowie PressFIT, NTC oder TIM.

Überlastbetrieb bis zu 175 °C Niedriger VCEsat Integrierter NTC-Temperatursensor PressFIT-Kontakttechnologie Kupfer-Sockelplatte, thermisches Schnittstellenmaterial

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