Infineon IGBT / 10 A, 600 V 150 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-1004P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD10N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-1004P
- Herst. Teile-Nr.:
- IKD10N60RFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 10A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 30kHz | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.2V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 10A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Schaltgeschwindigkeit 30kHz | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.2V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TRENCHSTOPTMRC-DrivesFast | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der schwer schaltbare IGBT3 von Infineon RC-Drives 600 V, 10 A mit monolithisch integrierter umgekehrter Leitdiode in einem TO252-Gehäuse wurde von Infineon als kostenoptimierte Lösung für den Verbraucher-Laufwerke-Markt entwickelt. Diese grundlegende Technologie bietet eine hervorragende Leistung für synchrone und bürstenlose DC-Motorantriebe mit Permanentmagneten.
Sehr enge Parameterverteilung
Bestes Stromverhalten im Vergleich zur Gehäusegröße
Hervorragende Temperaturstabilität
Sehr gutes elektromagnetisches Verhalten