Infineon IGBT-Transistormodul / 80 A ±20V max., 650 V 305 W PG-TO247-3

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RS Best.-Nr.:
259-1535
Herst. Teile-Nr.:
IKW50N65H5FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

305 W

Gehäusegröße

PG-TO247-3

Die Hochgeschwindigkeits-IGBT5 von Infineon ist mit der RAPID 1 schnellen und weichen Anti-Parallel-Diode in einem TO-247-Gehäuse verpackt, definiert als "best-in-class" IGBT. Er verfügt über den besten Wirkungsgrad in seiner Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt. 50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne die Zuverlässigkeit zu beeinträchtigen.

Durchgangsspannung: 650 V
Im Vergleich zur besten HighSpeed 3-Familie
Faktor 2,5 niedriger Qg
Reduzierung der Schaltverluste um den Faktor 2
200 mV Reduzierung bei VCEsat
Mitgepackt mit Rapid Si-Diode-Technologie
Niedrige COES/EOSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient VCEsa

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