Infineon IGBT / 80 A, 1200 V 500 W, 3-Pin TO-247

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RS Best.-Nr.:
260-5091
Herst. Teile-Nr.:
IKQ40N120CH3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gehäusegröße

TO-247

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.35V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

41.2mm

Breite

15.9 mm

Automobilstandard

Nein

Die schwer schaltbare Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in TO247 PLUS-Gehäuse mit weicher, schneller, antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode.

Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien

Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat

Niedrige Gate-Ladung QG

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