Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 1200 V 500 W PG-TO247-3-46

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RS Best.-Nr.:
260-5091
Herst. Teile-Nr.:
IKQ40N120CH3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

500 W

Konfiguration

Single

Gehäusegröße

PG-TO247-3-46

Die schwer schaltbare Hochgeschwindigkeits-IGBT3 von Infineon in TO247 PLUS-Gehäuse mit weicher, schneller, antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode.

Hoher Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien
Einfache Parallelverbindung dank des positiven Temperaturkoeffizienten in VCEsat
Niedrige Gate-Ladung QG

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