STMicroelectronics IGBT / 216 A Einfach, 650 V 714 W, 9-Pin ECOPACK NPN-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 273-5093
- Herst. Teile-Nr.:
- STGSB200M65DF2AG
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 273-5093
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- STGSB200M65DF2AG
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 216A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 714W | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | ECOPACK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | NPN | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 4mm | |
| Höhe | 5.5mm | |
| Normen/Zulassungen | UL1557 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 216A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 714W | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße ECOPACK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp NPN | ||
Pinanzahl 9 | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 4mm | ||
Höhe 5.5mm | ||
Normen/Zulassungen UL1557 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Das STMicroelectronics Automotive-Grade Grabengate Field-Stop Low-Loss M-Serie IGBT in einem ACEPACK SMIT-Paket. Dieses Gerät ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trenngatter-Feld-Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der IGBTs der Serie M, die eine optimale Balance zwischen Wechselrichtersystemleistung und Effizienz darstellen, wo der geringe Verlust und die Kurzschlussfunktionalität unerlässlich sind.
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Würfel auf Substrat aus direkt gebundenem Kupfer (DBC)
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