Teile-Nr.

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

RS Best.-Nr.:: 273-5234
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.675

Auf Lager

Zusätzlich 95 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
5 - 45	CHF.0.735	CHF.3.70
50 - 495	CHF.0.62	CHF.3.09
500 - 995	CHF.0.525	CHF.2.64
1000 - 2495	CHF.0.515	CHF.2.59
2500 +	CHF.0.504	CHF.2.54

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 273-5234
Herst. Teile-Nr.:: BSC018NE2LSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	153 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	25 V
	Gate-Source Spannung max.	±20V
	Verlustleistung max.	2,5 W
	Gehäusegröße	PG-TDSON-8
	Montage-Typ	THT
	Channel-Typ	N
	Pinanzahl	8

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 153 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 25 V
	Gate-Source Spannung max. ±20V
	Verlustleistung max. 2,5 W
	Gehäusegröße PG-TDSON-8
	Montage-Typ THT
	Channel-Typ N
	Pinanzahl 8

Datasheet - BSC018NE2LSATMA1

Der Infineon MOSFET ist ein 25-V-N-Kanal-MOSFET. Er ist für einen leistungsstarken Buck-Wandler optimiert. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform
Bleifreie Kabelbeschichtung
Sehr geringer Einschaltwiderstand
Überlegene Wärmebeständigkeit
100 % Lawinengeprüft

Infineon IGBT / 153 A ±20V max., 25 V 2,5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 N-Kanal

Verwandte Links