Infineon IGBT / 10.9 A Einfach 62.5 W, 8-Pin PG-TDSON-8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.6.06

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 85 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.212CHF.6.05
50 - 495CHF.1.01CHF.5.05
500 - 995CHF.0.869CHF.4.32
1000 - 2495CHF.0.848CHF.4.24
2500 +CHF.0.828CHF.4.14

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
273-5240
Herst. Teile-Nr.:
BSC16DN25NS3GATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

10.9A

Maximale Verlustleistung Pd

62.5W

Anzahl an Transistoren

1

Konfiguration

Einfach

Gehäusegröße

PG-TDSON-8

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

8

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21

Länge

5.1mm

Breite

6.1 mm

Höhe

1.15mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein N-Kanal-MOSFET mit einer Betriebstemperatur von 150 Grad Celsius. Es handelt sich um eine für die DC/DC-Umwandlung optimierte Einheit. Dieser MOSFET ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser MOSFET ist halogenfrei gemäß IEC61249 2 21.

RoHS-konform

Bleifreie Kabelbeschichtung

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Ausgezeichnete Gate-Ladung

Verwandte Links