Infineon IGBT / 20 A, 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO220-3 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-7453
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60H3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.838 | CHF.3.68 |
| 10 - 18 | CHF.1.68 | CHF.3.35 |
| 20 - 98 | CHF.1.638 | CHF.3.28 |
| 100 - 248 | CHF.1.533 | CHF.3.07 |
| 250 + | CHF.1.418 | CHF.2.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7453
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60H3XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.36 mm | |
| Länge | 15.95mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Serie | Highspeed switching third generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.36 mm | ||
Länge 15.95mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC | ||
Höhe 4.57mm | ||
Serie Highspeed switching third generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT ist ein Hochgeschwindigkeits-IGBT in Trench- und Field-Stop-Technologie. Dieser IGBT hat eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 Grad Celsius und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert. Dieser IGBT wird für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißumrichter und Umrichter mit hoher Schaltfrequenz empfohlen.
Niedrige EMI
Halogenfrei
RoHS-konform
Sehr niedriger VCEsat
Pb-freie Bleibeschichtung
Sehr weiche und schnell erholende Antiparallel-Diode
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