Infineon IGBT-Modul / 300 A, 1200 V 1550 W, 5-Pin 62MM-Modul Typ N-Kanal Klemme
- RS Best.-Nr.:
- 752-8170
- Herst. Teile-Nr.:
- BSM200GA120DN2HOSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 300A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1550W | |
| Gehäusegröße | 62MM-Modul | |
| Montageart | Klemme | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 800ns | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 106.4mm | |
| Normen/Zulassungen | DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56 | |
| Höhe | 36.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 300A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1550W | ||
Gehäusegröße 62MM-Modul | ||
Montageart Klemme | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 5 | ||
Schaltgeschwindigkeit 800ns | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 106.4mm | ||
Normen/Zulassungen DIN humidity Category F, IEC climatic Category 40 / 125 / 56 | ||
Höhe 36.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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