Infineon IGBT / 100 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 754-5409
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW50N60TFKSA1
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 100 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 333 W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 16.03 x 21.1 x 5.16mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 333 W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 16.03 x 21.1 x 5.16mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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