Infineon IGBT-Modul / 580 A ±20V max., 1200 V 2,4 kW, 3-Pin 62MM-Modul N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
761-3751
Herst. Teile-Nr.:
FF450R12KT4HOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

580 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

2,4 kW

Konfiguration

Serie

Gehäusegröße

62MM-Modul

Montage-Typ

Tafelmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30.9mm

Betriebstemperatur min.

-40 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBT-Module, Infineon


Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.

Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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