N-Kanal IGBT IRGPS4067DPBF, 600 V 240 A 30kHz, Super-247 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: MX
Produktdetails

Co-Pack-IGBT über 21 A, Infineon

Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von Infineon bieten dem Benutzer eine umfassende Auswahl von Optionen, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendung durchgeführt werden kann. Durch ihren hohen Wirkungsgrad können diese IGBT in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden und können dank niedriger Schaltverluste verschiedene Schaltfrequenzen unterstützen

IGBT verbaut mit antiparallel geschalteter Diode mit ultraschneller Wiederherstellung für den Einsatz in Brückenkonfigurationen

IGBT-Transistoren, International Rectifier

International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Dauer-Kollektorstrom max. 240 A
Kollektor-Emitter- 600 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Verlustleistung max. 750 W
Gehäusegröße Super-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Channel-Typ N
Pinanzahl 3
Schaltgeschwindigkeit 30kHz
Länge 16.1mm
Breite 5.5mm
Höhe 20.8mm
Abmessungen 16.1 x 5.5 x 20.8mm
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +175 °C
Nicht mehr im Sortiment