STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 791-7643
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
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| 25 - 45 | CHF.3.539 | CHF.17.714 |
| 50 + | CHF.3.518 | CHF.17.598 |
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- 791-7643
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- STGW60V60DF
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 375 W |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 791-7643
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW60V60DF
- Marke:
- STMicroelectronics