Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 796-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J121
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.4.725
Auf Lager
- Zusätzlich 11 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Zusätzlich 22 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
- Zusätzlich 81 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 24 | CHF.4.73 |
| 25 - 49 | CHF.4.48 |
| 50 - 199 | CHF.4.23 |
| 200 - 399 | CHF.3.78 |
| 400 + | CHF.3.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 796-5058
- Herst. Teile-Nr.:
- GT30J121
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 170 W | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.9 x 4.8 x 20mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 170 W | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.9 x 4.8 x 20mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBTs, diskret, Toshiba
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Toshiba IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 170 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 260 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO-220-3
- onsemi IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 600 W, 3-Pin TO-247AB N-Kanal
- Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal