STMicroelectronics IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 829-7120
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF15H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.10.185
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.037 | CHF.10.21 |
| 25 - 45 | CHF.1.943 | CHF.9.71 |
| 50 - 120 | CHF.1.743 | CHF.8.72 |
| 125 - 245 | CHF.1.575 | CHF.7.87 |
| 250 + | CHF.1.491 | CHF.7.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 829-7120
- Herst. Teile-Nr.:
- STGF15H60DF
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 30 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 30 W | |
| Gehäusegröße | TO-220FP | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.4 x 4.6 x 16.4mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 30 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 30 W | ||
Gehäusegröße TO-220FP | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.4 x 4.6 x 16.4mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 30 A ±20V max., 600 V 30 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 15 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 23 A ±20V max., 600 V 25 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 11 A ±20V max., 600 V 28 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 6 A ±20V max., 600 V 20 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 9 A ±20V max., 600 V 25 W, 3-Pin TO-220FP N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max. , 650 V 45 W, 3-Pin TO-220FP