STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.6.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 26. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4CHF.6.50
5 - 9CHF.6.17
10 - 24CHF.5.56
25 - 49CHF.5.00
50 +CHF.4.75

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
829-7136
Herst. Teile-Nr.:
STGWT80H65DFB
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

469W

Gehäusegröße

TO-3P

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

HB

Automobilstandard

Nein

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links