STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 650 V 469 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 829-7136
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWT80H65DFB
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGWT80H65DFB
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Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 120 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 469 W |
| Gehäusegröße | TO-3P |
| Montage-Typ | THT |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 15.8 x 5 x 20.1mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |