Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max., 1200 V 625 W, 9-Pin EASY2 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 838-7043
- Herst. Teile-Nr.:
- FF150R12YT3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 838-7043
- Herst. Teile-Nr.:
- FF150R12YT3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 625 W | |
| Gehäusegröße | EASY2 | |
| Konfiguration | Serie | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 55.9 x 39.6 x 17mm | |
| Betriebstemperatur min. | -40 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +125 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 625 W | ||
Gehäusegröße EASY2 | ||
Konfiguration Serie | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 9 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 55.9 x 39.6 x 17mm | ||
Betriebstemperatur min. -40 °C | ||
Betriebstemperatur max. +125 °C | ||
IGBT-Module, Infineon
Die IGBT-Module von Infineon bieten einen niedrigen Schaltverlust beim Schalten mit Frequenzen von bis zu 60 kHz.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Die IGBTs umspannen eine Reihe von Versorgungsmodulen wie die ECONOPACK-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V, PrimePACK-IGBT-Halbbrücken-Choppermodule mit NTC bis 1600/1700 V. Die PrimePACK-IGBTs werden in industriellen, kommerziellen, Bau- und Landwirtschaftsfahrzeugen verwendet. Die N-Channel TRENCHSTOP TM- und Fieldstop-IGBT-Module sind für hartes Schalten und weiches Schalten wie in Wechselrichtern, USV und industriellen Antrieben geeignet.
Gehäuseausführungen umfassen: 62-mm-Modul, EasyPack, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.