- RS Best.-Nr.:
- 862-9353
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040S3ST
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
55 Lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
35 weitere lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.2.699
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 5 | CHF.2.699 | CHF.13.482 |
10 - 95 | CHF.2.31 | CHF.11.54 |
100 - 245 | CHF.1.796 | CHF.8.957 |
250 - 495 | CHF.1.722 | CHF.8.621 |
500 + | CHF.1.586 | CHF.7.928 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 862-9353
- Herst. Teile-Nr.:
- ISL9V3040S3ST
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Dauer-Kollektorstrom max. | 21 A |
Kollektor-Emitter-Spannung | 450 V |
Gate-Source Spannung max. | ±14V |
Verlustleistung max. | 150 W |
Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
Montage-Typ | SMD |
Channel-Typ | N |
Pinanzahl | 3 |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Abmessungen | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
Betriebstemperatur min. | -40 °C |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |