STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 1200 V 75 W, 3-Pin DPAK (TO-252) N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- STGD5NB120SZT4
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- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Dauer-Kollektorstrom max. | 10 A |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V |
| Verlustleistung max. | 75 W |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Channel-Typ | N |
| Pinanzahl | 3 |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Abmessungen | 6.6 x 6.2 x 2.4mm |
| Nennleistung | 12.68mJ |
| Gate-Kapazität | 430pF |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 877-2879
- Herst. Teile-Nr.:
- STGD5NB120SZT4
- Marke:
- STMicroelectronics