ams OSRAM IR-Diode, TO-18 35 mW, 860 nm, 200 mW/sr, 8 °, 2-Pin, Durchsteckmontage 1-LEDs
- RS Best.-Nr.:
- 168-5231
- Herst. Teile-Nr.:
- SFH 4855-VAW
- Marke:
- ams OSRAM
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Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ams OSRAM | |
| Produkt Typ | IR-Diode | |
| Wellenlänge Spitze | 860nm | |
| Gehäusegröße | TO-18 | |
| Strahlstrom | 35mW | |
| Strahlungsstärke | 200mW/sr | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Halbwertswinkel | 8° | |
| Anzahl der LEDs | 1 | |
| Anzahl der Pins | 2 | |
| Linsenform | Kuppelförmig | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke ams OSRAM | ||
Produkt Typ IR-Diode | ||
Wellenlänge Spitze 860nm | ||
Gehäusegröße TO-18 | ||
Strahlstrom 35mW | ||
Strahlungsstärke 200mW/sr | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Halbwertswinkel 8° | ||
Anzahl der LEDs 1 | ||
Anzahl der Pins 2 | ||
Linsenform Kuppelförmig | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
IR-Sender mit TO-18-Metallgehäuse von OSRAM
Eine Produktfamilie von Infrarot (IR)-LEDs von OSRAM Opto Semiconductors ist in TO-18-Metallgehäusen untergebracht. Ihre durchkontaktierten Metallgehäuse sind hermetisch abgedichtet. Mit den TO-18-IR-LEDs sind kurze Schaltzeiten möglich. Sie bieten außerdem eine spektrale Übereinstimmung mit Silizium-Fotodetektoren. Fotointerruptoren, Sensortechnik und Lichtschranken sind geeignete Anwendungen für die TO-18-IR-LEDs.
Eigenschaften der TO-18-IR-LEDs:
Durchmesser: 4,3 mm oder 4,8 mm
Durchkontaktiertes Metallzylindergehäuse
Luftdichte Abdichtung
Vielzahl von Wellenlängen
IR-Sender, OSRAM Opto Semiconductors
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