Vishay VSMA1085250 Power IR-Diode, SMD 2100 mW, 860 nm, 1950 mW/sr, 28 °, Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 238-7035
- Herst. Teile-Nr.:
- VSMA1085250
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Wellenlänge Spitze | 860nm | |
| Produkt Typ | Power IR-Diode | |
| Gehäusegröße | SMD | |
| Strahlstrom | 2100mW | |
| Strahlungsstärke | 1950mW/sr | |
| Verpackungsart | Band und Rolle | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Halbwertswinkel | 28° | |
| Serie | VSMA1085250 | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC JS-001, ANSI, ESDA | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5V | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Wellenlänge Spitze 860nm | ||
Produkt Typ Power IR-Diode | ||
Gehäusegröße SMD | ||
Strahlstrom 2100mW | ||
Strahlungsstärke 1950mW/sr | ||
Verpackungsart Band und Rolle | ||
Montageart Oberfläche | ||
Halbwertswinkel 28° | ||
Serie VSMA1085250 | ||
Normen/Zulassungen JEDEC JS-001, ANSI, ESDA | ||
Maximale Versorgungsspannung 5V | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Hochleistungs-Infrarot-Emitterdiode hat Wavelength von 850 nm. Er verfügt über einen Emitterchip mit Doppelstapel für höchste Strahlungsleistung. Die 42-mil-Chip-Größe ermöglicht einen 1,5-A-Gleichstrombetrieb und unterstützt Impulsströme bis zu 5,0 A. Es wird in Hochleistungs-SMD mit Linsengehäuse-Form geliefert. Er hat Abmessungen von 3,4 x 3,4 x 2,9 mm (L x B x H).
Winkel mit halber Intensität: ±28°
Niedriger Wärmewiderstand 6 K/W < RthJSP < 9 K/W.
ESD bis zu 5 kV (gemäß ANSI/ESDA/JEDEC ® JS-001)
Standzeit 168 h, MSL 3, gemäß J-STD-020
Bleifreie (Pb) Reflow-Lötprozesse
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