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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
JFET
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Diskrete Halbleiter
JFET
Toshiba N-Kanal JFET 2SK209-Y(TE85L,F), 10 V Single, SOT-346 (SC-59) 3-Pin Einfach
RS Best.-Nr.:
760-3126P
Herst. Teile-Nr.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Marke:
Toshiba
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2640 lieferbar innerhalb von 6-8 Werktagen.
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RS Best.-Nr.:
760-3126P
Herst. Teile-Nr.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Marke:
Toshiba
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
N-Kanal-JFET, Toshiba
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom
1.2 to 3.0mA
Drain-Source-Spannung max.
10 V
Gate-Source Spannung max.
-30 V
Drain-Gate-Spannung max.
-50V
Konfiguration
Single
Transistor-Konfiguration
Einfach
Montage-Typ
SMD
Gehäusegröße
SOT-346 (SC-59)
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.5mm
RS Best.-Nr.:
760-3126P
Herst. Teile-Nr.:
2SK209-Y(TE85L,F)
Marke:
Toshiba
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Technische Daten
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
N-Kanal-JFET, Toshiba
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
IDS Drain-Source-Abschaltstrom
1.2 to 3.0mA
Drain-Source-Spannung max.
10 V
Gate-Source Spannung max.
-30 V
Drain-Gate-Spannung max.
-50V
Konfiguration
Single
Transistor-Konfiguration
Einfach
Montage-Typ
SMD
Gehäusegröße
SOT-346 (SC-59)
Pinanzahl
3
Abmessungen
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Höhe
1.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Betriebstemperatur max.
+125 °C
Länge
2.9mm
Breite
1.5mm