onsemi N-Kanal JFET MMBFJ112 Single, SOT-23 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 761-3684P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBFJ112
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 225 | CHF.0.20 |
| 250 - 475 | CHF.0.179 |
| 500 - 975 | CHF.0.158 |
| 1000 + | CHF.0.137 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-3684P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBFJ112
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | min. 5mA | |
| Gate-Source Spannung max. | -35 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | 35V | |
| Konfiguration | Single | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 50 Ω | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain Gate Kapazität | 28pF | |
| Source Gate Kapazität | 28pF | |
| Abmessungen | 2.92 x 1.3 x 0.93mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom min. 5mA | ||
Gate-Source Spannung max. -35 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. 35V | ||
Konfiguration Single | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Drain-Source-Widerstand max. 50 Ω | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain Gate Kapazität 28pF | ||
Source Gate Kapazität 28pF | ||
Abmessungen 2.92 x 1.3 x 0.93mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.92mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Höhe 0.93mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
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