onsemi N-Kanal JFET 2SK3557-6-TB-E, 15 V Single, CP 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 792-5164P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 225 | CHF.0.315 |
| 250 - 475 | CHF.0.273 |
| 500 - 975 | CHF.0.242 |
| 1000 + | CHF.0.221 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 792-5164P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3557-6-TB-E
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 10 to 20mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 15 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | -15V | |
| Konfiguration | Single | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | CP | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain Gate Kapazität | 10pF | |
| Source Gate Kapazität | 2.9pF | |
| Abmessungen | 2.9 x 1.5 x 1.1mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2.9mm | |
| Breite | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom 10 to 20mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 15 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. -15V | ||
Konfiguration Single | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße CP | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain Gate Kapazität 10pF | ||
Source Gate Kapazität 2.9pF | ||
Abmessungen 2.9 x 1.5 x 1.1mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2.9mm | ||
Breite 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor
JFET-Transistoren
Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.