onsemi N-Kanal JFET MMBF4393LT1G, 30 V Single, SOT-23 3-Pin Einfach
- RS Best.-Nr.:
- 864-7846P
- Herst. Teile-Nr.:
- MMBF4393LT1G
- Marke:
- onsemi
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- 864-7846P
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- MMBF4393LT1G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| IDS Drain-Source-Abschaltstrom | 5 to 30mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +30 V | |
| Drain-Gate-Spannung max. | 30V | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Konfiguration | Single | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 Ω | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain Gate Kapazität | 14pF | |
| Source Gate Kapazität | 14pF | |
| Abmessungen | 3.04 x 1.4 x 1.01mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.01mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
IDS Drain-Source-Abschaltstrom 5 to 30mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gate-Source Spannung max. +30 V | ||
Drain-Gate-Spannung max. 30V | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Konfiguration Single | ||
Drain-Source-Widerstand max. 100 Ω | ||
Montage-Typ SMD | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain Gate Kapazität 14pF | ||
Source Gate Kapazität 14pF | ||
Abmessungen 3.04 x 1.4 x 1.01mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.01mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
N-Kanal-JFET, ON Semiconductor
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Eine Serie von diskreten JFET- und HEMT/HFET-Halbleitern.
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