STMicroelectronics STGAP2DM Entwicklungsbausatz Spannungsregler, Demonstration Board

Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine 4-A-Strombelastbarkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, wodurch das Gerät auch für Hochleistungsanwendungen wie Motortreiber in industriellen Anwendungen geeignet ist, die mit MOSFET-, IGBT- oder SiC-Leistungsschaltern ausgestattet sind. Das Gerät integriert Schutzfunktionen: Dedizierte SD- und BRAKE-Stifte sind verfügbar, UVLO und thermische Abschaltung sind im Lieferumfang enthalten, um Systeme mit hoher Zuverlässigkeit einfach zu entwickeln, und die Verriegelungsfunktion verhindert, dass Ausgänge gleichzeitig hoch sind. Das Gerät ermöglicht die Implementierung einer negativen Gate-Ansteuerung, und die integrierten isolierten DC/DC-Wandler ermöglichen das Arbeiten mit optimierter Antriebsspannung für MOSFET, IGBT oder SiC. Die EVALSTGAP2DM-Platine ermöglicht die Evaluierung aller STGAP2DM-Funktionen während der Ansteuerung einer Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Nennspannung von bis zu 1700 V in einem TO-220- oder TO-247-Gehäuse.