Infineon IPU95R3K7P7, ICE5QSAG Evaluierungsplatine, EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC PFC-Controller, für Stromversorgungen

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RS Best.-Nr.:
214-1996
Herst. Teile-Nr.:
EVAL3K3WTPPFCSICTOBO1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Evaluierungsplatine

Leistungmanagement Funktion

PFC-Controller

Zur Verwendung mit

Stromversorgungen

Kit-Klassifizierung

Evaluierungsplatine

Vorgestelltes Gerät

IPU95R3K7P7, ICE5QSAG

Kit-Name

EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC

Normen/Zulassungen

RoHS

Nicht-konform

Infinion EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC Evaluierungsplatine


Die Evaluierungsplatine EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC von Infineon Technologies ist eine Systemlösung für eine brückenlose Totem-Pole-Leistungsfaktorkorrektur (PFC) mit bidirektionaler Leistungsfähigkeit. Perfekt für den Einsatz mit Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und eine hohe Leistungsdichte erfordern, besteht die Evaluierungsplatine EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC aus einer brückenlosen Totem-Pole-Topologie. Darüber hinaus wird die EV-Platine durch Infineon Technologies Leistungshalbleiter sowie Treiber und Mikrocontroller aktiviert. Die einfache Totempole-Topologie bietet volle Nutzung der PFC-Induktivität und -Schalter und bietet eine geringere Anzahl an Teilen.

Die Evaluierungsplatine EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC verfügt außerdem über einen Rückstrom (Wechselrichterbetrieb für netzgeschützte Anwendungen) dank der inhärenten bidirektionalen Leistungsstromfähigkeit der Totem-Pole-Topologie. Dadurch kann das Design in Batterieformungsanwendungen oder Akkuladegeräten verwendet werden.

Eigenschaften und Vorteile


Hocheffizienter brückenloser Totem-Pole PFCP

Perfekt für Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad (nahe 99 %)

Bidirektionaler Betrieb (digitale Steuerung)

Hohe Leistungsdichte

Ermöglicht durch CoolSiC™-MOSFET 650 V

Digital gesteuert mit XMC1404

Bidirektionale Fähigkeit (DC/AC-Betrieb)

Kompakter Formfaktor (72 W/3 Zoll)

Geringe Bauelementeanzahl

Anwendungen


Die EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC-Platine ist ideal für den Einsatz mit Anwendungen, die einen hohen Wirkungsgrad und Leistungsdichte erfordern, einschließlich Energiespeichersystemen, Batteriebildung und Laden, EV-Ladung, Telekommunikation und vieles mehr.

Welche Komponenten werden in der Platine verwendet?


600 V CoolMOS™ C7 SJ MOSFET und 650 V CoolSiC™ Siliziumkarbid MOSFET

2EDF7275F isolierte Gate-Treiber (EiceDRIVER™)

XMC1404 Mikrocontroller

ICE5QSAG CoolSET™ QR Flyback-Controller

950 V CoolMOS™ P7 SJ MOSFET

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