Infineon Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 Evaluierungsplatine, EVAL-1ED020I12F2-DB IGBT-Gate-Ansteuerung
- RS Best.-Nr.:
- 248-9724
- Herst. Teile-Nr.:
- EVAL1ED020I12F2DBTOBO1
- Marke:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 248-9724
- Herst. Teile-Nr.:
- EVAL1ED020I12F2DBTOBO1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Funktion für Stromüberwachungseinheiten | IGBT-Gate-Ansteuerung | |
| Zum Einsatz mit | Doppelimpuls-Prüfplatinen | |
| Kit-Klassifizierung | Tochterplatine | |
| Vorgestelltes Gerät | Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 | |
| Kit-Name | EVAL-1ED020I12F2-DB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Funktion für Stromüberwachungseinheiten IGBT-Gate-Ansteuerung | ||
Zum Einsatz mit Doppelimpuls-Prüfplatinen | ||
Kit-Klassifizierung Tochterplatine | ||
Vorgestelltes Gerät Enhanced isolated driver 1ED020I12-F2 | ||
Kit-Name EVAL-1ED020I12F2-DB | ||
Die zweite Revision der Infineon CoolSiC™-Evaluierungsplattform in einer Hoch-/Niederspannungsseite-Konfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED020I12-F2). Diese Plattform wurde entwickelt, um den optimalen Antrieb von CoolSiC™-MOSFETs oder anderen Leistungsschaltern wie IGBTs und MOSFETs in 3-poligen oder 4-poligen TO247-Gehäusen zu zeigen. Um dieses Ziel zu erreichen, wurde das Design in zwei Platinen aufgeteilt, eine Hauptplatine EVAL-PS-DP-MAIN und eine Tochterplatine, EVAL-1ED020I12F2-DB. Der modulare Ansatz ermöglicht eine zukünftige Erweiterung der Plattform mit zusätzlichen Gate-Treiberkarten. Der Schaltertyp kann frei gewählt werden. Unterstützt isolierte Gate-Treiber-Tochterplatine mit 1ED020I12-F2 zur Evaluierung von 1.200-V-CoolSiC™-MOSFETs. Der EVAL-1ED020I12F2-DB ist Teil der zweiten Revision der CoolSiC™-Evaluierungsplattform in einer Hoch-/Niederspannungsseite-Konfiguration mit zwei Gate-Treiber-ICs (1ED020I12-F2).
Einkanal-isolierter Gate-Treiber-IC (1ED-F2)
2 A, typischer Ausgangsstrom von Schiene zu Schiene
Präziser DESAT-Schutz, VCEsat-Erkennung
Aktive Miller-Klemme
Aktive Abschaltung und Kurzschlussklemme
28 V absolut max. Ausgangsspannung
170/165 ns typ. Ausbreitungsverzögerung
2 A, typischer Ausgangsstrom von Schiene zu Schiene
Präziser DESAT-Schutz, VCEsat-Erkennung
Aktive Miller-Klemme
Aktive Abschaltung und Kurzschlussklemme
28 V absolut max. Ausgangsspannung
170/165 ns typ. Ausbreitungsverzögerung
Diese Plattform wurde entwickelt, um den optimalen Antrieb von CoolSiC™-MOSFETs oder anderen Leistungsschaltern wie IGBTs und MOSFETs in 3-poligen oder 4-poligen TO247-Gehäusen zu zeigen. Um dieses Ziel zu erreichen, wurde das Design in zwei Platinen aufgeteilt: eine Hauptplatine EVAL-PS-DP-MAIN und eine