Infineon Mikrocontroller Nein XMC7200 ARM Cortex-M7 32 bit 1024kB SRAM TQFP 176-Pin 350 MHz 32 kB RAM

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle Mikrocontroller anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Schale mit 400 Stück)*

CHF.6’018.80

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Schale*
400 - 400CHF.15.047CHF.6’019.02
800 - 800CHF.14.658CHF.5’864.88
1200 +CHF.14.301CHF.5’718.30

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
260-1110
Herst. Teile-Nr.:
XMC7200D-F176K8384AA
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Serie

XMC7200

Produkt Typ

Mikrocontroller

Gehäusegröße

TQFP

Pinanzahl

176

Gerätekern

ARM Cortex-M7

Datenbus-Breite

32bit

Programmspeicherkapazität

1024kB

Taktfrequenz max.

350MHz

RAM Größe

32kB

Maximale Versorgungsspannung

5.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Anzahl der programmierbaren Ein/Ausgänge

220

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Länge

24mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Minimale Versorgungsspannung

2.7V

Befehlssatz-Architektur

RISC

Automobilstandard

Nein

A/D-Wandler

96 x 12 Bit

Programmspeicher-Typ

SRAM

Infineon Mikrocontroller, 1024 KB Programmspeichergröße, 350 MHz Maximalfrequenz - XMC7200D-F176K8384AA


Dieser Hochleistungs-MOSFET von Infineon ist für den Einsatz in verschiedenen Power-Management-Anwendungen konzipiert. Mit seinem TO-220-Gehäuse bietet er eine robuste Leistung mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 50 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V. Mit einem niedrigen Durchlasswiderstand und einer hohen Verlustleistung sorgt dieser MOSFET für optimale Effizienz in anspruchsvollen elektrischen Systemen.

Eigenschaften und Vorteile


• Niedriger Drain-Source-Widerstand (7,8 mΩ) reduziert die Verlustleistung und verbessert die Betriebseffizienz

• Die maximale Verlustleistung von 68 W gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter hoher Last

• Breiter Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) bietet flexible Steuerung für unterschiedliche Spannungspegel

• Hohe thermische Stabilität mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175°C

• Enhancement-Mode-Design für effizientes Schalten und präzise Steuerung des Stromflusses

• Robuste Gate-Source-Spannungstoleranz (-20V bis +20V) gewährleistet Schutz vor Überspannungen

• Einzel-Transistor-Konfiguration ideal für platzbeschränkte Designs

Anwendungen


• Geeignet für DC/DC-Wandler und Stromversorgungen

• Einsatz in der Synchrongleichrichtung zur Verbesserung des Umrichterwirkungsgrads

• Ideal für die Motorsteuerung in industriellen Automatisierungssystemen

• Eingesetzt in Batteriemanagementsystemen für Elektrofahrzeuge

• Anwendbar in erneuerbaren Energiesystemen und Unterhaltungselektronik

Was ist der Vorteil des niedrigen Drain-Source-Widerstands (RDS(on))?


Der niedrige RDS(on) minimiert Leitungsverluste und Wärmeentwicklung, verbessert die Gesamteffizienz von Stromversorgungssystemen und sorgt dafür, dass mehr Energie in nützliche Arbeit umgewandelt wird, anstatt als Wärme verloren zu gehen.

Wie verhält sich der MOSFET bei hoher Verlustleistung?


Mit einer maximalen Verlustleistung von 68 W ist das Gerät so konstruiert, dass es während des Betriebs eine beträchtliche Wärmeentwicklung bewältigt und auch unter anspruchsvollen Bedingungen stabil bleibt.

Welche Bedeutung hat der Bereich der Gate-Schwellenspannung?


Der weite Gate-Schwellenspannungsbereich (1V bis 2,2V) sorgt für Flexibilität beim Schaltungsdesign, so dass der MOSFET mit verschiedenen Steuerspannungen effizient arbeiten kann und sich damit für verschiedene Anwendungen eignet, die ein präzises Spannungsmanagement erfordern.

Verwandte Links