TS27L2IDT STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 100 kHz SO-8, biplor typ. 16 V, biplor typ. 3 V, 8-Pin Nein
- RS Best.-Nr.:
- 151-560
- Herst. Teile-Nr.:
- TS27L2IDT
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.693 | CHF.13.80 |
| 200 - 480 | CHF.0.651 | CHF.13.10 |
| 500 - 980 | CHF.0.609 | CHF.12.12 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.557 | CHF.11.19 |
| 2000 + | CHF.0.536 | CHF.10.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-560
- Herst. Teile-Nr.:
- TS27L2IDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 100kHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 16V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 3V | |
| Slew Rate | 0.04V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 10 mV | |
| Eingangsruhestrom | 150 pA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | TS272 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 100 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 100kHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 16V | ||
Minimale Versorgungsspannung 3V | ||
Slew Rate 0.04V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 10 mV | ||
Eingangsruhestrom 150 pA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie TS272 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 100 pA | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die kostengünstigen, energiesparenden Zweifach-Operationsverstärker von STMicroelectronics wurden für den Betrieb mit Einfach- oder Zweifachversorgungen entwickelt. Diese Betriebsverstärker verwenden das ST-Silizium-Gate-CMOS-Verfahren, das ein ausgezeichnetes Verbrauchs-Drehzahl-Verhältnis ermöglicht. Diese Serie eignet sich ideal für Anwendungen mit geringem Verbrauch.
Die Ausgangsspannung kann bis zur Erde schwanken
Ausgezeichneter Phasenabstand bei kapazitiven Lasten
Stabil und niedrige Offset-Spannung
Drei Eingangs-Offset-Spannungsauswahlen
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