STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 4 MHz SO-14, biplor typ. 36V, biplor typ. 6 V, 14-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 151-879P
- Herst. Teile-Nr.:
- LF347DT
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 151-879P
- Herst. Teile-Nr.:
- LF347DT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SO-14 | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 4MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 7 mV | |
| Eingangsruhestrom | 200 pA | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Slew Rate | 0.3V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | LF347 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 8.5mm | |
| Länge | 20mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 4 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SO-14 | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 4MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 7 mV | ||
Eingangsruhestrom 200 pA | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Slew Rate 0.3V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie LF347 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 8.5mm | ||
Länge 20mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 4 nA | ||
- Ursprungsland:
- MA
Die Op-Verstärker von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-JFET-Eingangs-Quad-Operationsverstärker mit gut abgestimmten Hochspannungs-JFETs und bipolaren Transistoren in einer ammonolithischen integrierten Schaltung. Die Geräte verfügen über hohe Schleifraten, niedrige Eingangsverzerrung und Offsetströme sowie einen niedrigen Offset-Spannungs-Temperaturkoeffizienten.
Niedriger Energiebedarf
Geringe Eingangsverzerrung und geringer Versetzungsstrom
Kurzschlussschutz im Ausgang
JFET-Eingangsstufe mit hoher Eingangsimpedanz
Interne Frequenzkompensation
Freier Lock-up-Betrieb