TSB182IDT STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SO-8, biplor typ. 36 V, biplor typ. 4 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 276-865
- Herst. Teile-Nr.:
- TSB182IDT
- Marke:
- STMicroelectronics
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- TSB182IDT
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Eingangsruhestrom | 400 pA | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 20 μV | |
| Slew Rate | 2V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | 4 kV HBM ESD, AEC-Q100 (automotive grade), ECCN US EAR99/EU NEC, ESDA-JS-001-2017, industrial/automotive options, RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 2mm | |
| Serie | TSB182 | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangsstrom | 29mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 600 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Eingangsruhestrom 400 pA | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 20 μV | ||
Slew Rate 2V/μs | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen 4 kV HBM ESD, AEC-Q100 (automotive grade), ECCN US EAR99/EU NEC, ESDA-JS-001-2017, industrial/automotive options, RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 2mm | ||
Serie TSB182 | ||
Breite 3.9 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangsstrom 29mA | ||
Offset-Eingangsstrom 600 pA | ||
- Ursprungsland:
- MA
Der STMicroelectronics Operational Amplifier ist ein hochpräziser dualer Operationsverstärker, der eine maximale Eingangsoffsetspannung von 20 μV gewährleistet. Er kann in einem erweiterten Versorgungsspannungsbereich betrieben werden und bietet einen Rail-to-Rail-Ausgang. Er bietet ein hervorragendes Geschwindigkeits/Stromverbrauchs-Verhältnis mit einem 3-MHz-Verstärkungsbandbreitenprodukt und verbraucht typischerweise 650 μA pro Operationsverstärker bei einem großen Versorgungsspannungsbereich.
Rail-to-Rail-Ausgänge
Breite Nennversorgungsspannung von 4 bis 36 V AC
3 MHz Verstärkungs-Bandbreitenprodukt
EMI-gehärtet
Hohe ESD-Toleranz von 4 kV HBM
AEC-Q100 qualifiziert
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