onsemi Operationsverstärker Oberfläche 5 MHz SOIC, biplor typ. 36 V, biplor typ. 1 V, 8-Pin Nein
- RS Best.-Nr.:
- 103-5114
- Herst. Teile-Nr.:
- MC33178DR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- MC33178DR2G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 5MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Slew Rate | 2V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 3 mV | |
| Eingangsruhestrom | 500 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Serie | MC33178 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Ausgangsstrom | 80mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 50 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 5MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Slew Rate 2V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 3 mV | ||
Eingangsruhestrom 500 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Serie MC33178 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Ausgangsstrom 80mA | ||
Offset-Eingangsstrom 50 nA | ||
- Ursprungsland:
- PH
Energiesparende, rauscharme Operationsverstärker MC33178, MC33179, ON Semiconductor
Die Operationsverstärker der Serie MC33178/9 von OM Semiconductor verwenden bipolare Technologie für die hochwertige Audio- und Datensignalverarbeitung.
Sie sind mit Hochfrequenz-PNP-Eingangstransistoren ausgestattet und bilden so Verstärker mit niedriger Eingangs-Offset-Spannung sowie geringem Rauschen und geringer Verzerrung.
Außerdem bieten sie eine hohe Stromtreiberfähigkeit am Ausgang und nehmen nur 420 μA Drain-Strom je Verstärker auf. Wahlweise erhältlich in zwei- und vierfacher Ausführung in DIP- und SOIC-Gehäusen.
600 W Ausgangstreiberfähigkeit
Großes Ausgangsspannungsschwingen
Geringe Offset-Spannung: 0,15 mV (Mittel)
Niedrige harmonische Gesamtverzerrung: 0,0024 % (@ 1 kHz, 600 W Last)
Hohe Bandbreite: 5 MHz
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit: 2 V/μs
Zweifach-Spannungsversorgung: ±2 V bis ±18 V
ESD-Klemmen an den Eingängen
Operationsverstärker, ON Semiconductor
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