onsemi Operationsverstärker Oberfläche 350 MHz SC-70, biplor typ. 5.5V, biplor typ. 1.8 V, 5-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 202-5597P
- Herst. Teile-Nr.:
- NCV21871SQ3T2G
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 350MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Slew Rate | 0.1V/μs | |
| Eingangsruhestrom | 400 pA | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 45 μV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 1.35mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Serie | NCV21871 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 2.2mm | |
| Ausgangsstrom | 11mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Offset-Eingangsstrom | 800 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 5 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 350MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Slew Rate 0.1V/μs | ||
Eingangsruhestrom 400 pA | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 45 μV | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 1.35mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Serie NCV21871 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 2.2mm | ||
Ausgangsstrom 11mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Offset-Eingangsstrom 800 pA | ||
Die on Semiconductor NCV21871-Familie von Nullpunktdrift-Operationsverstärkern verfügt über eine Offsetspannung von nur 45 V über den Versorgungsspannungsbereich von 1,8 V bis 5,5 V. Die Null-Drift-Architektur reduziert die Offset-Drift auf bis zu 0,4 V/°C und ermöglicht hochpräzise Messungen über Zeit und Temperatur hinweg.
Rail-to-Rail-Eingang und -Ausgang
Stabiler Verstärkungsfaktor Eins
Erhältlich in Einfach-, Zweifach- und Vierfachgehäusen