LT1013DDR Texas Instruments Operationsverstärker Oberfläche 1 MHz SOIC, biplor typ. 30 V, biplor typ. 5 V, 8-Pin Nein
- RS Best.-Nr.:
- 208-8612
- Herst. Teile-Nr.:
- LT1013DDR
- Marke:
- Texas Instruments
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- LT1013DDR
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 1 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 150 μV | |
| Eingangsruhestrom | -90 nA | |
| Slew Rate | 0.4V/μs | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | LT101 | |
| Breite | 3.98 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 0.8 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 1 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 150 μV | ||
Eingangsruhestrom -90 nA | ||
Slew Rate 0.4V/μs | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 5mm | ||
Serie LT101 | ||
Breite 3.98 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 0.8 nA | ||
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