onsemi Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SOIC, biplor typ. 36 V, biplor typ. 2.7 V, 8-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 214-8923
- Herst. Teile-Nr.:
- TLV272DR2G
- Marke:
- onsemi
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- 214-8923
- Herst. Teile-Nr.:
- TLV272DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 2.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 3 mV | |
| Slew Rate | 2.6V/μs | |
| Eingangsruhestrom | 150 pA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Serie | TLV272 | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Ausgangsstrom | 100mA | |
| Offset-Eingangsstrom | 150 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Minimale Versorgungsspannung 2.7V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 3 mV | ||
Slew Rate 2.6V/μs | ||
Eingangsruhestrom 150 pA | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Serie TLV272 | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Ausgangsstrom 100mA | ||
Offset-Eingangsstrom 150 pA | ||
Die on Semiconductor TLV27 Operationsverstärker bieten einen Rail-to-Rail-Ausgangsbetrieb. Der Ausgang kann innerhalb von 320 mV auf die positive Schiene und 50 mV auf die negative Schiene schwingen. Dieser Rail-to-Rail-Betrieb ermöglicht es dem Benutzer, den gesamten Versorgungsspannungsbereich optimal zu nutzen und gleichzeitig die 3-MHz-Bandbreite zu nutzen.
Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C.
Hohe Eingangsimpedanz
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