onsemi Operationsverstärker Oberfläche 1.2 MHz SOIC, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 1.8 V, 14-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 229-6376
- Herst. Teile-Nr.:
- NCS20084DR2G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.357 | CHF.903.00 |
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- RS Best.-Nr.:
- 229-6376
- Herst. Teile-Nr.:
- NCS20084DR2G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1.2MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 1.8V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Eingangsruhestrom | 1500 pA | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 4 mV | |
| Slew Rate | 0.4V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 8.75mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Serie | NCS20084 | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Ausgangsstrom | 100mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Offset-Eingangsstrom | 1100 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 14 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1.2MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 1.8V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Eingangsruhestrom 1500 pA | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 4 mV | ||
Slew Rate 0.4V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 8.75mm | ||
Breite 4 mm | ||
Serie NCS20084 | ||
Höhe 1.75mm | ||
Ausgangsstrom 100mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Offset-Eingangsstrom 1100 pA | ||
Der on Semiconductor ist ein Vierfach-Operationsverstärker mit 1,2 MHz Verstärkungsbandbreite und hat eine Anstiegsgeschwindigkeit von 0,4 V/s bei einem Verbrauch von nur 42 μA Ruhestrom pro Kanal. Da es sich um ein CMOS-Gerät handelt, sind hohe Eingangsimpedanz und niedrige Vorspannungsströme ideal für den Anschluss an eine Vielzahl von Signalsensoren.
Schnelleres Drehen und höhere Geschwindigkeit
Großer Dynamikbereich
Betrieb mit geringer Leistungsaufnahme
Breiter Betriebstemperaturbereich
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