STMicroelectronics Operationsverstärker Oberfläche 1 MHz SO-8, biplor typ. 36V, biplor typ. 6 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 239-6352
- Herst. Teile-Nr.:
- TL062ACDT
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 239-6352
- Herst. Teile-Nr.:
- TL062ACDT
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 1MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 6V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 36V | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Slew Rate | 3.5V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 3 mV | |
| Eingangsruhestrom | 200 pA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | TL062A | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 100 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 1MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 6V | ||
Maximale Versorgungsspannung 36V | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Slew Rate 3.5V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 3 mV | ||
Eingangsruhestrom 200 pA | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie TL062A | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 100 pA | ||
Das STMicroelectronics OP-AMP-Gerät ist ein schneller JFET-Eingang mit einem Operationsverstärker, der gut abgestimmte Hochspannungs-JFET und bipolare Transistoren in einer monolithischen integrierten Schaltung enthält.
Sehr niedriger Energieverbrauch bei 200 μA
Großer Gleichtaktbereich bis zu VCC+ und differenzielle Spannungsbereiche
Geringer Eingangsruhestrom und geringe Offset-Ströme
Ausgangs-Kurzschlussschutz
JFET-Eingangsstufe mit hoher Eingangsimpedanz
Interne Frequenzkompensation
Latch-Up-freier Betrieb
Hohe Anstiegsgeschwindigkeit bei 3,5 V/μs
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