NJM4558V-TE2 Nisshinbo Micro Devices Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SSOP, biplor typ. 18 V, biplor typ. 4 V,
- RS Best.-Nr.:
- 241-3465
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4558V-TE2
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.08
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.1.008 | CHF.10.11 |
| 20 - 90 | CHF.0.893 | CHF.8.96 |
| 100 - 240 | CHF.0.756 | CHF.7.56 |
| 250 - 490 | CHF.0.651 | CHF.6.56 |
| 500 + | CHF.0.641 | CHF.6.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-3465
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM4558V-TE2
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SSOP | |
| Anzahl der Kanäle | 2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 6 mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Slew Rate | 1V/μs | |
| Eingangsruhestrom | 500 nA | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | NJM4558 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 200 nA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SSOP | ||
Anzahl der Kanäle 2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 6 mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Slew Rate 1V/μs | ||
Eingangsruhestrom 500 nA | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie NJM4558 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 200 nA | ||
Der Dual-Operationsverstärker von New Japan Radio verfügt über eine interne Kompensationsschaltung, die auf einem einzigen Siliziumchip aufgebaut ist, und bietet durch die Kombination der für einen monolithischen Chip eingestellten Parameter hervorragende Eigenschaften.
Betriebstemperaturbereich - 40 bis + 85 ˚C
Bipolartechnik
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