MCP6477-E/SN Microchip Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SOIC, biplor typ. 5.5 V, biplor typ. 5.5 V, 8-Pin AEC-Q100
- RS Best.-Nr.:
- 242-5144
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6477-E/SN
- Marke:
- Microchip
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- 242-5144
- Herst. Teile-Nr.:
- MCP6477-E/SN
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- Microchip
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Eingangsruhestrom | ±1 pA | |
| Slew Rate | 3.2V/μs | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 1.6 mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 3.9 mm | |
| Länge | 4.9mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Serie | MCP6477 | |
| Ausgangsstrom | 30mA | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Offset-Eingangsstrom | ±1 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Eingangsruhestrom ±1 pA | ||
Slew Rate 3.2V/μs | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 1.6 mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 3.9 mm | ||
Länge 4.9mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Serie MCP6477 | ||
Ausgangsstrom 30mA | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Offset-Eingangsstrom ±1 pA | ||
Die Microchip MCP6006/6R/6U/7/9-Serie von Operationsverstärkern hat einen niedrigen Eingangsruhestrom und einen Rail-to-Rail-Eingangs- und Ausgangsbetrieb. Diese Familie ist stabil und hat ein Verstärkungs-Bandbreite-Produkt von 1 MHz (typisch). Diese Geräte arbeiten mit einer einzigen Versorgungsspannung von nur 1,8 V, während sie nur 50 μA/Verstärker (typisch) Ruhestrom zeichnen. Alle Geräte verfügen über eine integrierte EMI-Filterung und sind über den erweiterten Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C vollständig spezifiziert
Verstärkungs-Bandbreite-Produkt: 1 MHz (typisch)
Eingangs-Offset-Spannung: 1,6 mV (max.)
Versorgungsspannung: 1,8 V bis 5,5 V.
Versorgungsstrom: 50 μA (typisch)
EMIRR bei 1,8 GHz: 95 dB (typisch)
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