Nisshinbo Micro Devices Operationsverstärker Oberfläche 3 MHz SOP-8, biplor typ. 18V, biplor typ. 4 V, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 244-9757
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM072CG-TE2
- Marke:
- Nisshinbo Micro Devices
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 244-9757
- Herst. Teile-Nr.:
- NJM072CG-TE2
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- Nisshinbo Micro Devices
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nisshinbo Micro Devices | |
| Produkt Typ | Operationsverstärker | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Anzahl der Kanäle | 4 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP | 3MHz | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Minimale Versorgungsspannung | 4V | |
| Vos - Eingangs-Offsetspannung | 6 mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Eingangsruhestrom | 400 pA | |
| Slew Rate | 13V/μs | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Serie | NJM | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Offset-Eingangsstrom | 50 pA | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nisshinbo Micro Devices | ||
Produkt Typ Operationsverstärker | ||
Montageart Oberfläche | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Anzahl der Kanäle 4 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Verstärkung-Bandbreiten-Produkt GBP 3MHz | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Minimale Versorgungsspannung 4V | ||
Vos - Eingangs-Offsetspannung 6 mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Eingangsruhestrom 400 pA | ||
Slew Rate 13V/μs | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Serie NJM | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Offset-Eingangsstrom 50 pA | ||
Der rauscharme Eingangs-Operationsverstärker von New Japan Radio zeichnet sich durch eine geringe harmonische Verzerrung und ein geringes Rauschen aus, wodurch er sich ideal für Verstärker mit hoher Wiedergabetreue und Audioverstärkeranwendungen eignet.
Breiter Stromversorgungsbereich
Interner ESD-Schutz
Menschliches Körpermodell
Hoher Eingangswiderstand
Breiter Temperaturbereich
Bipolare Technologie
Hohe Anstiegsfrequenz
Breite Einheitsverstärkungs-Bandbreite
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